Samsung DDR5 SODIMM 8GB  DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M425R1GB4BB0-CWM

Samsung DDR5 SODIMM 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M425R1GB4BB0-CWM

Артикул:M425R1GB4BB0-CWM
Код товара:629225500
К сравнению
Производитель:Samsung
Вес (грамм):-
Количество модулей в комплекте (шт):1
Пропускная способность (МБ/с):44800
Высота (мм):-
Поддержка ECC:Нет
гарантия:3 года
CAS Latency (CL):-
Тип модуля:SO-DIMM
Поддержка водяного охлаждения:-
Под заказ (запрашивайте)
3 000 0
Товара не оказалось в наличии?
Подпишитесь на уведомление о поступлении!
9d554633c0bf1d23b20987b5008023a2
Описание
Оперативная память M425R1GB4BB0-CWM от Samsung
Производитель
Вес (грамм)
Количество модулей в комплекте (шт)
Пропускная способность (МБ/с)
Высота (мм)
Поддержка ECC
гарантия
CAS Latency (CL)
Тип модуля
Поддержка водяного охлаждения
Низкопрофильная
Радиатор
Подсветка
Производитель
Количество контактов
Row Precharge Delay (tRP)
Дополнительная информация
описание
Модель
Объем одного модуля (ГБ)
manufacturerCountry
название
Напряжение (В)
RAS to CAS Delay (tRCD)
Тайминги
Тип оборудования
gtdNumber
Чип
Частота (MHz)
Поддержка Reg
Activate to Precharge Delay (tRAS)
Нормальная операционная температура (Tcase)
Общий объем памяти (ГБ)
Количество чипов на модуле
Габариты (мм)
Расширенная операционная температура (Tcase)
rusName
Потребление энергии
Линейка
сайт производителя